存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社(Toshiba Memory Corporation)已启动业界首款[2]符合通用闪存(UFS) Ver.3.0标准的嵌入式闪存设备的样品发货[1]。该新系列产品采用公司尖端的96层BiCS FLASH™ 3D闪存，提供三种存储容量：128GB、256GB和512GB[4]。该系列新设备具备高速读取和写入性能及低功耗特点，适用于移动设备、智能手机、平板电脑和增强/虚拟现实系统等应用领域。
该系列新设备在符合JEDEC标准的11.5 x 13mm封装中集成了96层BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。该控制器执行错误校正、耗损均衡、逻辑地址向物理地址的转换以及坏块管理等功能，便于简化系统开发。
全部三款设备均符合JEDEC UFS Ver.3.0标准，包含HS-GEAR4，每个通道理论接口速度最高可达11.6Gbps（2通道=23.2Gbps），同时具备抑制功耗增加功能。512GB设备的顺序读取和写入性能分别比上一代设备[5]提高了约70%和80%。
注
[1] 128GB设备样品发货即日启动，该系列其他产品将在三月之后陆续启动样品发货。 样品规格将不同于商用产品的规格。
[2] 数据来源：东芝存储器株式会社，截至2019年1月23日。
[3] 通用闪存(UFS)是一种产品类别，即一类根据JEDEC UFS标准规范生产的嵌入式存储器产品。由于采用串行接口，UFS支持全双工，支持在主处理机和UFS设备之间进行并发读取和写入。
[4] 产品存储密度基于产品内置的内存芯片的密度来确定，而非最终用户数据存储的可用存储器容量。由于开销数据区域、格式设置、坏块及其他制约因素，用户可用容量会减少，根据不同的主机设备和应用，用户可用容量可能也会有所差异。请参考适用的产品规格了解详情。定义1GB = 230字节= 1,073,741,824字节。
[5] 东芝存储器株式会社上一代256GB设备“THGAF8T1T83BAIR”
