据《科创板日报》报道，三星电子已决定全面退出 8 英寸晶圆代工业务，公司近期已通知客户，计划在 2030 年底前关闭所有相关生产线。

注意到，此前，三星电子一直仅表示将逐步缩减 8 英寸生产线，此次则是首次明确提出业务退出的具体时间表，之后公司计划将人力和设备投资集中于基于 12 英寸晶圆先进制程。长期委托三星电子进行芯片生产的韩国本土无晶圆厂（Fabless）企业，如今正面临紧急寻找替代生产厂商的压力。

三星电子运营的 8 英寸代工厂由 65 纳米、70 纳米、90 纳米、130 纳米和 180 纳米等旧工艺组成，生产显示驱动芯片（DDI）、电源管理半导体（PMIC）、微控制器（MCU）和图像传感器等各种系统半导体。从 2000 年量产 180 纳米工艺开始，三星电子于 2002 年推出 130 纳米工艺，2006 年推出 90 纳米工艺，2011 年推出 70 纳米工艺。

출처 : 디일렉(THE ELEC)(https://www.thelec.kr)

延伸阅读

8 英寸晶圆指直径为 200 毫米的硅晶片，其制程主要集中在 90 纳米及以上节点，属于成熟制程范畴。这类产线主要生产电源管理芯片（PMIC）、显示驱动 IC（DDIC）、CMOS 图像传感器、微控制器（MCU）、功率器件、射频芯片、指纹识别芯片等产品，下游覆盖物联网、汽车电子、工业控制、消费电子等领域。

三星的 8 英寸对外代工产能全部集中在韩国器兴园区，原共有 S6、S7、S8 三条 8 英寸产线。其中 S7 月产能约 5 万片，此前已规划于 2026 年下半年关停，其订单向 S6 与 S8 转移；器兴 S6 覆盖 0.13 微米至 0.35 微米工艺，支持 BCD 工艺、功率器件与图像传感器制造，S8 工艺区间落在 0.18 微米至 0.5 微米，擅长光电传感器、高压模拟电路与分立器件生产。

在明确退出时间表之前，三星的 8 英寸业务已持续收缩。2026 年初三星宣布加快代工产线结构调整，推进 S7 关停，届时其 8 英寸晶圆月产能将从约 25 万片降至 20 万片以下，整体 8 英寸产线开工率约为 70%。随着 CMOS 图像传感器、显示驱动芯片等核心产品逐步向 12 英寸产线迁移，8 英寸产线面临订单流失、维护成本高企与客户基础有限等压力。

长期委托三星代工的韩国本土无晶圆厂（Fabless）企业，正面临寻找替代产能的压力。韩国本土的 8 英寸纯晶圆代工厂 DB HiTek（东部高科）被视为潜在替代选项之一，该公司产能此前一度完全饱和、订单积压明显。此外 DB HiTek 已于 2025 年 12 月启动碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）工艺的多项目晶圆流片，并计划 2027 年启动规模化量产，同时扩建忠清北道上隅园区无尘室，月产能将从 15.4 万片提升至 19 万片 8 英寸晶圆。

三星并非唯一削减 8 英寸产能的厂商。台积电自 2023 年起已着手削减相关产能，部分工厂计划陆续退出市场。TrendForce 数据显示，2026 年全球 8 英寸晶圆厂总产能预计同比下降 2.4%。

值得注意的是，产能收缩的同时需求依然强劲。在 AI 服务器需求带动下，电源管理 IC、模拟芯片、功率器件等成熟制程产品需求增长，TrendForce 预测 2026 年全球 8 英寸晶圆厂平均开工率将攀升至 85% 至 90%，部分代工厂计划将代工价格上调 5% 至 20%。2026 年第三季全球成熟制程晶圆代工产能利用率冲上 91%，业界预估次年首季 8 英寸与 12 英寸成熟制程代工价格将季增 4% 至 8%。

三星退出 8 英寸代工后，计划将人力与设备投资集中于 12 英寸晶圆先进制程。其先进 12 英寸产线主要布置于华城和平泽，覆盖 7nm、4nm、3nm 以及正在爬坡的 2nm GAA 工艺。据分析机构测算，三星非存储事业年度营业亏损将从 2025 年的 6.74 万亿韩元（注：现汇率约合 335.79 亿元人民币）降至 2026 年的约 3.92 万亿韩元（现汇率约合 195.29 亿元人民币），HBM4 带动 8nm 及以下先进制程稼动率提升，是其代工业务改善的重要原因之一。