驱动芯片选型的关键因素可以系统地归纳为以下几点：
2.原副边传输延时。最大传输延时，越小越好，影响死区时间。
3.电压范围。原副边供电电压范围，一般原边是5V供电，副边供电范围可调，推荐最大供电在20V以上，兼容Si和SiC驱动。
4.支持最大开关频率，越高越好，推荐40kHz以上，满足升压充电等特殊需求。
二、保护功能。 选择具备过流、过压、过温保护功能的芯片，提升电驱系统可靠性。
1.故障上传。可通过SPI，也可通过占空比方式上传给MCU。当前主流驱动芯片大部分都是SPI故障上传，SPI上传快速但是抗干扰性较差，且占用MCU资源，有误报的风险。占空比上传通常基于PWM信号，其数据传输速度相对较慢，抗干扰能力相对较强。
2. 支持ASC。尽可能选原副边ASC均支持的芯片，原边ASC低压侧可省隔离器。
3.原副边电源过欠压监控，且有故障响应机制。推荐副边供电过欠压可配，可兼容Si和SiC驱动。
5.过流保护。具备过流保护功能，一般推荐使用Desat保护，尽可能选取Desat保护阈值可软件配置。
6. 过温保护。支持故障告警和封波可选。
10. PWM监控。PWM输入到PWM输出到功率模块门极路径进行监控，尽可能选取支持OSM（三态）+门极监控。
1.封装形式和尺寸。选择合适的封装，越小越好，需综合考虑散热和安装方式。
3.最高工作结温。不小于150℃。
4.功能安全。支持系统到ASIL D。
5.原副边隔离耐压。越高越好，尽可能支持800V系统。
四、高级功能。
驱动 IC的高度集成化设计有助于提高电驱系统的鲁棒性和可靠性。
1.支持ADC采样。一般可用于母线电压备份冗余采样和功率模块的温度采样，可节省隔离器及其外围电路，达到降本和降体积目的。
2.集成反激电源芯片。类似四代特斯拉采用的STGAP4驱动IC，根据合适的电源拓补+小磁芯的平面变压器实现体积和成本的收益。
3.智能驱动电阻调节。可以根据电压、电流和模块结温实时调节驱动参数，使得电控达到最优的输出效率。
4.主动放电功能。可通过Vgth监控和Desat-Vce状态监控，调节开关频率、占空比达到快速泄放掉母线电容电荷的目的。省去主动放电电阻和外围电路实现体积和成本的收益。
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