日前，中国领先的模拟芯片厂商——希荻微电子集团股份有限公司(以下简称“希荻微”)宣布推出全新 E-Fuse 系列 HL8511/12和HL8521/22 产品，旨在保护输出 (OUT) 上的电路，使其免受电源总线 (IN) 电压瞬变和大浪涌电流的不良影响，即实现保护电源总线免受意外输出短路和意外过载的功能。

一、产品概述

HL8512/22通过控制外置NMOS，实现反向电流阻断 (HL8511/21不提供该功能)。这些E-Fuse产品通过集成了功率 FET，来管理负载电流、控制输出电压和调节输出斜率。

在工作期间，当IN引脚电压超过欠压锁定阈值时，HL8511/21和HL8512/22开始检测EN/UV引脚电压阈值。如果 EN/UV 引脚电压超过 V_ENR，则内部 MOSFET 使能，允许电流从IN 引脚流向 OUT 引脚；如果 EN/UV 引脚电压低于 V_ENF，则内部 MOSFET 关断。E-Fuse芯片还实时监控流向设备的负载电流，确保负载电流不超过限流阈值。

HL8511/21 和 HL8512/22具有热保护功能。当设备温度超过热关断阈值(通常为150°C)时，内部功率 FET 关断，断开负载与电源的连接。一旦发生热关断，E-Fuse将持续监控设备的温度。当温度降低至设定值以下时，HL8511/21 和 HL8512/22有自动重启和关闭锁存两个版本。

HL8511/12和HL8521/22的主要应用领域是服务器、SSD、POS、USB接口、线缆保护等。

二、产品优势

高精度的限流控制。当输出电流是3.6A时，HL8511/12和HL8521/22的限流精度范围是+/-8%，与友商相比，希荻微的E-Fuses负载开关系列芯片的限流控制精度更高。

超快的OCP响应时间。与友商相比，HL8511/12和HL8521/22的OCP响应时间更短，箝位输入电流时间更及时。

支持单故障失效模式。当ISET引脚失效时，HL8511/12和HL8521/22处于安全模式，仍然可以继续进行工作，赋能终端应用解决方案更安全和高效。

超低热插拔电流和浪涌电流。与友商相比，HL8511/12和HL8521/22具有超低的热插拔电流和浪涌电流，这样可以更有效保护输入端口，很好地控制子系统插入工作总线时产生的浪涌电流和电压尖峰。

有效箝位VOUT，保护设备。当输入电压以10V/us的速度跃升，并超过过压保护门限时，HL8511/12和HL8521/22仍可将输出电压限定在保护门限以内，有效防止负载因电压超标而损坏。

三、展望未来

希荻微总经理David Nam表示: "希荻微的 E-Fuse 产品 (HL8511/12和HL8521/22) 在电流极限精度和响应时间等关键指标上均达到行业领先水平，当输入电压以10V/us的速度跃升时，我们的E-Fuse 产品能够有效地箝位VOUT。”