当前位置:首 页 --> 技术分享
TWS耳机设计容易出现的问题分析
发布时间:2022/3/1 11:45:00 来源:永阜康科技
在线咨询:
给我发消息
张代明 3003290139
给我发消息
姚红霞 3003214837
给我发消息
李湘宁 2850985550
13713728695
设计过程中 比较容易出现的一些常规问题,今天汇总一下。
  1. 充电仓的TYPE-C USB的两个 CC1,CC2脚不能短接在一起,要各自独立接下拉电阻

如果CC1与CC2短接的话,用PD适配器就会出现充不了电的现像, 因为PD设备是要做检测机制的.

 

2. 充电盒上的霍尔器件与磁铁的间距设计最好控制在3MM以内,如果超过这个距离,需要做详细的可靠性验证,因为 磁铁在高温后会有退磁现像,如果两者距离太远,可能会出现霍尔感 应失灵的问.

3. 充电顶针底部要做PCB穿过孔的,这样的设计可靠性更有保证.

4.耳机的MIC一定要求结构必须要有密封设计,特别是有ANC,ENC功能的项目.

5.耳机PCB上的充电顶针与焊盘建议按以下比例来设计:

因为顶针如果大于PCB焊盘的话,可靠性会过不了,做滚桶测试时,可能有脱落的风险.

6.耳机的喇叭与电池不能贴的太近,两者非常容易相互干扰,特别是一些高灵敏度喇叭,更容易被干扰,比如能听到有杂音现像. 所以要特别小心.

7.电池的线长要控制好,会对RF有些影响.

8.天线:RF信号的稳定性是最为核心的硬性指标. 天线类型主要以陶瓷天线,FPC天线为主. 天线的性能的指标及天线放置的位置一定要在开模前验证可行性.一旦结构模具定型了,就不好改了. PCBA的RF性能比较好验证,最麻烦的就是PCBA与结构的配合,天线与结构的配合才是最花时间的.

 
    您可能对以下产品感兴趣  
产品型号 功能介绍 兼容型号 封装形式 工作电压 备注
HT4066 HT4066是一颗过压保护IC,其内置125mΩ (TYP)大电流MOS,其可对低电压工作的系统 进行电压保护,最高+26VDC。 LP5300/WS3202 SOT23-6 3V-26V 过压过流OVP保护芯片
NE5532 N5532内部包括两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器。适用于双电源工作模式,也适用于电源电压范围很宽的单电源使用。 NE5532/LM358/NJM4558 SOP-8 3V-22V N5532内部包括两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器。
 
深圳市永阜康科技有限公司 粤ICP备17113496号 服务热线:0755-82863877 手机:13242913995