虽然USB Type-C很强大，但产品可靠性的问题也不容忽视，使用中由于热插拔、短路、ESD、故障设备和用户误操作引发的风险，需要有可靠的电路保护措施来化解。此外，D+/D-虽然不是直接和VBUS相邻，但也有可能发生短路，只是概率相比于CC和SBU低些，所以D+/D-也需要过压保护。以上引脚除了过压保护，还需采用 IEC 61000-4-2 系统级 ESD 保护。
就在近期，谷歌推出了针对所有四代Pixel智能手机的Android 10操作系统。XDA开发人员通过Android 10的源代码意外发现该操作系统版本具备USB端口污染和过热检测的新功能。这两项新功能既能保护数据传输的可靠性，也能保证USB端口充电时的安全性，相当地实用。
随着USB Type-C商用进程的加速，其强大的功能逐渐凸显。在享受USB Type-C强大功能性的同时，市场对兼顾其可靠性和安全性的保护方案需求也逐渐增多。艾为也推出了自己的Type-C接口保护方案。将过压保护芯片（OVP）串联放置在管脚线路上。当在这些线路上检测到高于 OVP 阈值的电压时，其内部高压功率开关管断开，并且将系统的其余部分与连接器上存在的高压状态隔离。
CC和SBU通道过压保护方案是类似的，但通道功能有差异，需要分别处理。
SBU通道为了兼容USB2.0的D+/D-通道，带宽设计为800MHz以上，这就要求降低通道上的寄生电容。通道上的寄生电容主要来自静电保护的ESD管和开关管。艾为设计的小电容ESD很好地降低了SBU通道上的寄生电容，是SBU通道带宽做高的关键。同时还优化了开关通道走线和PAD布局，进一步减小寄生电容。
由于短路、热插拔或设备故障都有可能引起浪涌。所以Type-C接口的每个引脚都需要有TVS保护，内置或者外置。内置的TVS可以省去外部的贴片TVS，节省了PCB板面积，降低了客户选择高压TVS的难度。TVS管可以泄放浪涌能量，降低浪涌电压，有效保护下游电路。
TVS的启动电压必须大于OVP功率开关管的DC工作电压，泄放浪涌的嵌位电压小于开关管击穿电压；浪涌管的尺寸足够大可以泄放能量而不发生热烧毁。
浪涌保护的原理是接口发生浪涌，浪涌电压大于浪涌管的启动电压，TVS管开始泄放能量，接口端电压被嵌住，泄放的能量越大，电流在通路上由于寄生电阻产生的压降越大，嵌位电压也被抬高，嵌位电压不能大于OVP开关的击穿电压。发生浪涌时，接口端也会发生过压，这时OVP开关管断开，保护下游电路不受损坏，OVP开关管过压断开的速度越快，OVP开关管输出的残压越低，越能保护下游电路。
|
||||||||||||||||||||||||||||||
 |
||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||
