中国上海，2019年12月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。
MOSFET产品图
新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗；XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。
应用：
・汽车设备
电源装置（DC-DC转换器）和LED头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）
特性：
・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装
・通过AEC-Q101认证
・低导通电阻：
RDS(ON)=4.1mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance（WF）封装
主要规格：
（除非另有说明，@Ta=25°C）
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器件型号 |
XPH4R10ANB |
XPH6R30ANB |
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极性 |
N沟道 |
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绝对最大额定值 |
漏源极电压 VDSS （V） |
100 |
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漏极电流 （DC） ID （A） |
70 |
45 |
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漏极电流 （脉冲） IDP （A） |
210 |
135 |
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沟道温度 Tch （℃） |
175 |
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漏源极导通电阻 RDS(ON)最大值 （mΩ） |
@VGS=6V |
6.2 |
9.5 |
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@VGS=10V |
4.1 |
6.3 |
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沟道至外壳热阻 Zth(ch-c) 最大值 @Tc=25℃ （℃/W） |
0.88 |
1.13 |
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封装 |
SOP Advance（WF） |
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产品系列 |
U-MOSVIII-H |
U-MOSVIII-H |
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注释：
[1] 截至2019年12月25日
[2] 在同样规格的产品中，截至2019年12月25日。东芝调查。
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