LTspice半导体二极管模型对于仿真非常重要，特别是当您想要查看包含击穿行为和复合电流的结果时。 然而，与LTspice中的半导体二极管模型一样完整，有时您需要一个简单的“理想二极管”模型来快速仿真，例如有源负载，电流源或限流二极管。 为了提供帮助，LTspice提供了一个理想的二极管模型。
要在LTspice中使用此理想化模型，请为二极管（D）插入一个.model语句，并指定一个或多个以下参数：Ron，Roff，Vfwd，Vrev或Rrev。
模型 MyIdealDiode D（Ron = 1 Roff = 1Meg Vfwd = 1 Vrev = 2）
LTspice中的理想二极管模型具有三个线性传导区域：导通，关断和反向击穿。 正向导通和反向击穿可以进一步用限流参数Ilimit和revIlimit来指定。
模型 MyIdealDiode D（Ron = 1 Roff = 1Meg Vfwd = 1 Vrev = 2 Ilimit = 1 RevIlimit = 1）
此外，为了平滑关闭状态和导通状态之间的切换，还可以定义参数epsilon和revepsilon。
模型 MyIdealDiode D（Ron = 1 Roff = 1Meg Vfwd = 1 Vrev = 2 Ilimit = 1 RevIlimit = 1 Epsilon = 1 RevEpsilon = 1）
二态函数也被用在断态和导通状态之间，使得理想化的二极管IV曲线在数值和斜率上是连续的，从而在由epsilon和revepsilon值指定的电压上发生转变。
在原理图中插入.model语句后，可以编辑组件属性中的二极管符号的值（Ctrl +右键单击）以匹配您在语句中指定的名称。 有关LTspice二极管模型的更多信息，请参阅帮助主题（F1）。
为了好玩，在下面的电路示例中，使用理想化的二极管模型来模拟非同步降压控制器中的MOSFET的RDS（ON）。 通过使用理想的二极管模型而不是传统的肖特基二极管，可以很容易地比较同步整流的传导损耗。
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