ST推出两款可提升汽车和工业应用系统的性能和稳健性的36V运算放大器。新款运算放大器具有宽电源电压范围、运行稳定性和高达4kV(HBM[1])的抗静电放电性能（ESD）。

TSB572和TSB611单运算放大器是意法半导体新的40V BiCMOS[2]制造工艺的首批产品。基于这项技术的运算放大器具有优异的GBW/Icc[3]能效，电源电流—性能比是市场标准运算放大器的五分之一。此外，低输入失调电压和低于6µV/°C的温度漂移有助于简化系统设计，而无需微调或校准，确保在-40°C到125°C额定温度范围内性能稳定。

TSB572配备轨对轨输入输出，增益带宽(GBW) 2.5MHz，最大输入失调电压1.5mV。运算放大器在容性负载时工作稳定，相位反转保护功能优异。4.0V至36V的宽电源电压，准许使用各种电源取得额定参数。

TSB611的GBW参数为560kHz，最低工作电压2.7V，是一款单位增益稳定的产品，输入失调电压为1mV，最大工作电流仅为36V 125µA 。

精巧的封装选择让意法半导体的新款运算放大器新运放特别适用于有空间限制的应用场合，例如汽车音响系统和电控单元(ECU)。

TSB572采用3mm x 3mm DFN或Mini-SO8封装。TSB611采用SOT23-5封装，两款产品均已量产。

[1] HBM：人体模型:接触式静电放电敏感度测试标准仿真。

[2] BiCMOS半导体技术：在一颗晶片上整合双结晶体管和CMOS晶体管。 

[3] GBW/Icc.单位输入电流的增益带宽:业内公认的与运放性能-功耗比相关的品质因数。