耦合电容和分布电容的选用
从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。
去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u 或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF 的去耦电容有5μH 的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz 左右，也就是说，对于10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz 以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF 的电容，并行共振频率在20MHz 以上，去除高频噪声的效果要好一些每10 片左右集成电路要加一片充放电电容，或1 个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz 取0.01μF。
分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小，但可能对电路形成一定的影响。在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响，尤其是在工作频率很高的时候。也成为寄生电容，制造时一定会产生，只是大小的问题。布高速PCB 时，过孔可以减少板层电容，但会增加电感。分布电感是指在频率提高时，因导体自感而造成的阻抗增加.
电容器选用及使用注意事项：
1，一般在低频耦合或旁路，电气特性要求较低时，可选用纸介、涤纶电容器；在高频高压电路中，应选用云母电容器或瓷介电容器；在电源滤波和退耦电路中，可选用电解电容器。
2，在振荡电路、延时电路、音调电路中，电容器容量应尽可能与计算值一致。在各种滤波及网（选频网络），电容器容量要求精确；在退耦电路、低频耦合电路中，对同两级精度的要求不太严格。
3，电容器额定电压应高于实际工作电压，并要有足够的余地，一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器。
4，优先选用绝缘电阻高，损耗小的电容器，还要注意使用环境。
读《耦合电容和分布电容的选用》有感：一字之差，缪以千里！

数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF 的去耦电容有5μH 的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz 左右。也就是说，对于10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz 以上的噪声几乎不起作用。
首先：其中0.1uF电容有5uH的分布电感，5uH是5nH吧？根据电容电感并行共振频率公式f=1/2π√LC得出共振频率在225KHz左右，而实测频率确实大约在7MHz左右。
1μF、10μF 的电容，并行共振频率在20MHz 以上，去除高频噪声的效果要好一些。
其次：根据上面的理论，稍微仔细点就可看出，1uF实际上是1nF。后面的结论是正确的，实际情况也是这样。
每10 片左右集成电路要加一片充放电电容，或1 个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。
要使用钽电容或聚碳酸酯电容。
{0{[/rM%]$j0再次：电解电容应该指的是铝电解电容了，如果只说电解电容，那么钽电容也是了。另外，仅从结构上说是不完全正确的。大家都知道，电解电容容量高，根据f=1/2π√LC就清楚该用在什么频率范围内。聚碳酸酯电容也有卷饶工艺的嘛。电容的选型要根据频率的大小选择容值、耐压、温度系数、DF值、寿命等合乎要求的型号和系列。高频电路中则不要把电容当作一个单纯的容性器件看待，而是一个电阻、电容（主要因素）、电感（主要因素）的电路模型。

去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz，取0.1μF，100MHz 取0.01μF。
最后：这句话是对的。经验之谈。
供初学者加深理解！