共集电极(CC)以及共漏极(CD)电路是将它们的集电极或漏极连接到低阻抗点（即交流地），如图3.7(a)所示。因为集电极或漏极的电流只从集电极到发射极或漏极到源极，PIC24HJ64GP206-I/PT所以基极或栅极是一个很差的输出端。结果在CC／CD组态中唯一可能输出端就是发射极或源极。类似地，因为集电极和漏极电流跟基极或栅极的电压有很强的关系，并且是唯一可用的其他端口，所以基极或栅极为输入端。假设理想电流源。

          
    图3.7(a)共集电极射极跟随器和共漏极源跟随器；(b)各自的大信号响应
    大信号工作状态
    与共射极和共源极组态不同，．当它们的输入电压低时，输出电压也低，反之亦
然，意味着本质上不反相。在N型CC或CD纽态输出端开始上升时的输入电压与得到足够的负载电流Ihias所需要的基极到发射极或栅极到源极的直流电压相符合，此处的电压V。接近于0.65～0.8V，为1～1.5V。由于相同的原因，最大的输出电压比电源电压低一个。(即o．65～1. 5V)。另外，最小输出电压，根据CC或CD即将关闭时的电压（就是没有电流），当进入三极管范围时，偏置晶体管将拉到地电压。
    低频小信号响应
    与CE/CS组态一样，模拟电路设计师通常将CC或CD晶体管偏置在它的高增益模式（BJT的正向有源区或微饱和状态和MOSFET的饱和状态），此时电路有最高的增益。然而在这种情况下，增益较大且稳定，所对应的VIN和Vc，UT范围相对比较宽，这可以从图3.7(b)中大信号响应中得出。致使线性范围宽的原因就是增益接近1，因为在VIN绝大部分范围内，对于保持偏置电流的任何电压，VHF和vcs一直不变。对于所有的实际目的，这种不变的电压等于在基极到发射极或栅极到源极之间引入直流偏移电压，换句话说，就是在VI\I和V()UT之间有个无信号增益的电压，这就是这些电路通常被称为发射极或源极跟随器的原因。
    如图3.8所示，通过替换CC和CD晶体管各自的小信号等效模型，提供了一种更精确的方法计算电路的电压增益。在开始前，理解流过体效应跨导的电流与它两端的电压成比例是很有意义的，用一个阻值为1／gMn的电阻表示这个效果：