当前位置:首 页 --> 方案设计
前几天发过一个电源开关控制电路的原理内容,现在以下图的LVDS power control电路进行深入分析学习,在处理电子精密时序问题时可以用得上。
R196与C167组成RC 积分电路,装前端输入的矩形波转变为有上下边治的波形。
取R200,C161,C163为输入变量,Trising ,Tfalling,Vmax作为输出变量。
C163放电阻看输出变量是否有规律
R200 | C161 | C163 | Trising(ms) | Tfalling(s) | Vmax(v) |
100k | 1uf | 1k | 3.186 | 0.912 | 12.4 |
100k | 1uf | 2k | 3.151 | 1.13 | 12.4 |
100k | 1uf | 2.7k | 3.131 | 1.3 | 12.4 |
100k | 1uf | 3.9k | 3.12 | 1.53 | 12.4 |
100k | 1uf | 4.7k | 3.156 | 1.66 | 12.4 |
100k | 1uf | 10k | 3.1 | 2.78 | 12.4 |
100k | 1uf | 1m | 3.166 | 8.5 | 12.4 |
100k | 1uf | nc | 3.18 | 8.52 | 12.4 |
可以看出,只有Tfalling 与MOS后端C163有关,R增大,Tfalling增大
C163放电容看输出变量是否有规律
R200 | C161 | C163(uf) | Trising(ms) | Tfalling(s) | Vmax(v) |
100k | 1uf | 0.47 | 3.065 | 8.52 | 12.3 |
100k | 1uf | 1 | 3.178 | 8.5 | 12.3 |
100k | 1uf | 2.2 | 17.72 | 7.66 | 13.1 |
100k | 1uf | 4.7 | 16.57 | 1.95 | 13.2 |
100k | 1uf | 10 | 17 | 1.92 | 13.1 |
可以看出,当电容小的时候,因只对高频有作用,不影响Trising,Tfalling。
当电容大的时候,会加大Surge 电压Vmax ,Trising也会变大,且因其ESR变大,将使Tfalling变小。
C161变化或R200变化看输出变量是否有规律
R200 | C161 | C163(Ohm) | Trising(ms) | Tfalling(s) | Vmax(v) |
100k | 1uf | 1k | 13.7 | 1.32 | 13.3 |
100k | 2.2uf | 1k | 13.8 | 1.37 | 13.1 |
100k | 4.7uf | 1k | 14.4 | 1.37 | 13.1 |
100k | 10uf | 1k | 15 | 1.35 | 13.1 |
R200 | C161 | C163(Ohm) | Trising(ms) | Tfalling(s) | Vmax(v) |
NC | 1uf | 1k | 17.2 | 1.38 | 13.2 |
200k | 1uf | 1k | 15.3 | 1.36 | 13.1 |
150k | 1uf | 1k | 12.8 | 1.37 | 13.1 |
100k | 1uf | 1k | 13.7 | 1.32 | 13.3 |
75k | 1uf | 1k | 12.6 | 1.36 | 13.1 |
47k | 1uf | 1k | 12.8 | 1.38 | 13.1 |
当C161变化或R200变化时,因为T=2PI*R*C,Trising时间增大,但不明显。在实际应用中需要两个同时变化反复实验,得到一组理想值。
R113功能:当Q114导通时,B极电压恒定0.7V,增加电阻可有效防止控制端由于电压强制拉低导致端口损坏。
Q104:利用三极管导通特性,Q105:场效应管导通特性导通
R111:开关管导通瞬间限流作用
C112:利用电容充放电性能,降低导通瞬间电流功能
|
||||||
|
||||||