当前位置:首 页 --> 方案设计
内置MOS管TP8350、TP8356升压芯片驱动大电流方案
发布时间:2011/6/4 14:12:00 来源:
在线咨询:
给我发消息
李湘宁 2850985550
给我发消息
张代明 3003290139
给我发消息
姚红霞 3003214837
13713728695

典型应用电路:

输入电源为锂电池(3.2vVin4.2v

1.驱动负载150mAIo500mA

1TP8350典型应用电路

   

锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路

 

建议各器件参数L=47uH(内阻<0.1ohm),Cin=47uF(实际应用中可不接该电容),

Diode=1N58171N58181N5819

Cout20uF电解电容(或20uF胆电容串联0.5欧姆电阻)和0.1uF陶瓷电容并联。

驱动400mA负载下,效率高于80%

2TP8356典型应用电路

锂电池输入条件下TP8350驱动大负载电路

建议各器件参数L=100uH(内阻<0.1ohm),Cin=47uF(实际应用中可不接该电容),

Diode=1N58171N58181N5819

Cout20uF电容(不分电解电容、胆电容)串联0.5欧姆电阻和0.1uF陶瓷电容并联。

驱动400mA负载下,效率高于80%

 

2  驱动负载Io<150mA

       TP8350TP8356外围器件参数参照TP83规格书中典型应用电路的参数。

 

注意:TP8350TP8356应用中陶瓷电容0.1uF~1uF必须接上,并且靠近芯片输出端。

详细的产品资料及销售信息请查阅:http://www.szczkjgs.com/products_3620.htm

 
    您可能对以下产品感兴趣  
产品型号 功能介绍 兼容型号 封装形式 工作电压 备注
 
深圳市永阜康科技有限公司 粤ICP备17113496号 服务热线:0755-82863877 手机:13242913995