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IRF1404功率场效应管概述及特性
发布时间：2011/3/12 16:23:00 来源：
IRF1404 概述
IR的HEXFET功率场效应管IRF1404采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF1404这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF1404成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。TO-220封装的IRF1404普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF1404得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF1404适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF1404的通孔安装版，适合较低端的应用。
IRF1404 特性
- 先进的工艺技术
- 贴片安装（IRF1404S）
- 低端通孔安装（IRF1404L）
- 超低导通阻抗
- 动态dv/dt率
- 175℃工作温度
- 快速转换速率
- 车工级产品
- 无铅环保
| IRF1404 参数 | |||
| IRF1404 基本参数 | |||
| VDSS | 40 V | ||
| ID @25℃ | 162 A | ||
| RDS(on) Max | 4.0 mΩ | ||
| IRF1404 其他特性 | |||
| FET极性 | N型沟道 | ||
| Qg Typ | 160 nC | ||
| IRF1404 封装与引脚 | |||
| TO-220AB, TO-263, TO-262 | |||
引脚布局
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