半导体制造商ROHM株式会社(总部设在京都市)面向IC录音机和低噪音耳机等使用干电池的便携设备,开发出了以0.93V驱动的、可以延长电池使用寿命的、低电压(1节电池)驱动耳机放大器BU7150NUV。使用这款产品,用1节干电池(1.5V)就可以使音频放大器长时间动作,使便携设备的电池使用寿命更加长久。
这款新产品,已经以月产15万个的规模开始量产(样品价格400日元/个)。生产过程的前期工序在ROHM株式会社总公司(京都市),后期工序在ROHM ELECTRONICS PHILIPPINES, INC.(菲律宾)。
最近,IC录音机和低噪音耳机等便携设备主要以1节干电池来驱动,但是这种设备中使用的耳机一直以来最低驱动电压大多超过1.5V,用1节干电池的电压(1.5V)是不动作的,所以需要升压用DC/DC转换器电路,这样就发生了10%左右的电压转换损失。另外,现在虽然也有一些以0.9V左右的电压驱动的耳机放大器,但是使用干电池的设备中,伴随着电池的放电,输出阻抗增加,导致电源的启动时间延迟,一些对电源电压的启动时间有限制的产品就很难使用。这次ROHM开发的“BU7150NUV”的最低动作电压是0.93V,所以仅用1节干电池无需升压电路也可以使用,而且内置了对电源电压的启动时间无影响的上电复位功能,对于客户来说是非常方便使用的IC。
另外,该产品还具备其他多种特点:
①根据设备规格,既可以对应立体声耳机放大器模式,还可以对应单声道扬声器放大器模式;
②通过良好的串音特性(85dB),可以带来亲临现场的音质;
③从电源关闭、声音关闭状态到放大器电路启动完成,内置自动序列器可降低对微控制器的负担;
④内置降低咔哒声、POP音等噪音的电路等。
而且,这款BU7150NUV保证驱动电源电压达3.5V,所以使用2节电池的电子辞典和电子玩具等也可以使用。并且,在扩大不同电压的产品阵容时,无需大幅变更系统设计,所以对于客户来说是非常方便使用的产品。
ROHM利用所擅长的音频电路设计技术、低耗电技术,致力于LSI商品阵容的开发,不断扩大可以提高客户产品附加价值的产品系列。
■低电压(1节电池)驱动耳机“BU7150NUV”的特点
- 驱动电源电压范围宽
0.93V to 3.5V(温度0ºC to 85ºC时)、1.03V to 3.5V(温度-40ºC to 85ºC时) - 内置不受电源电压启动转换速率限制的上电复位电路
- 内置关机模式、静音模式相关的自动序列器
- 通过外置元件可以改变启动完成的时间
- 单声道扬声器可以选择BTL模式和单端立体声耳机放大器模式
- 内置降低咔哒声、爆破声等噪音的电路
- 内置热敏关机保护电路
- 小封装(VSON010V3030 : 3.0mm×3.0mm h=1.0mm)
■驱动电压的比较 |
■立体声电路例 |
■绝对最大额定值
项目 | 符号 | 额定值 | 单位 |
电源电压 | VDD | 4.5 | V |
输入电压 | VIN | VSS-0.3 to VDD+0.3 | V |
输入电流 | IIN | -10 to 10 | mA |
容许损失 | PD | 560 ※ | mW |
保存温度范围 | TSTG | -55 to +150 | ºC |
安装74.2mm×74.2mm×1.6mm 基板时(玻璃环氧单面基板)
■电气特性(只要没有特别指定,Ta=25ºC、VDD=1.5V、f=1kHz)
项目 | 符号 | 规格值 | 单位 | 备注 | ||
MIN | TYP | MAX | ||||
无信号时的电路电流 | IDD | - | 1.0 | 1.4 | mA | 无负荷,无信号时 |
关机时的静止电流 | ISD | - | 3 | 9 | µA | SDB端子=VSS |
静音时的电路电流 | IMUTE | - | 15 | - | µA | MUTEB端子=VSS,SE |
输出失调电压 | VOFS | - | 5 | 50 | mV | |VOUT1-VOUT2|, 无信号时 |
最大输出功率 | PO | 70 | 85 | - | mW | RL=8Ω,BTL, THD+N=1% |
- | 14 | - | mW | RL=16Ω,SE, THD+N=1% | ||
雑音高調波歪率 | THD+N | - | 0.2 | 0.5 | % | 20kHz LPF, RL=8Ω, BTL, PO=25mW |
- | 0.1 | 0.5 | % | 20kHz LPF, RL=16Ω, SE, PO=5mW | ||
输出杂音电压 | VNO | - | 10 | - | µVrms | 20kHz LPF + A-weight |
串音 | CT | - | 85 | - | dB | RL=16Ω,SE, 1kHz BPF |
电源电压信噪比 | PSRR | - | 62 | - | dB | 纹波电压=200mVP-P, 正弦波 RL=8Ω, BTL, CBYPASS=4.7µF |
- | 66 | - | dB | 纹波电压=200mVP-P, 正弦波 RL=16Ω, SE, CBYPASS=4.7µF |
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输入'H'水平 | VIH | 0.7 | - | - | V | 适用于MUTEB, SDB端子 |
输入'L'水平 | VIL | - | - | 0.3 | V | 适用于MUTEB, SDB端子 |
应用原理图
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