当前位置：首 页 --> 行业资讯
SGMNQ12340 40V耐压、低导通电阻、高性能的 N 沟道 MOSFET SGMNQ12340
发布时间：2025/10/14 10:34:00 来源：永阜康科技
圣邦微电子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐压、低导通电阻、输入电容低、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。
SGMNQ12340 具有低导通电阻的显著特点，其典型值仅为 13mΩ（VGS = 10V），最大值不超过 18mΩ（VGS = 10V），能有效降低导通损耗。同时，它拥有低栅极电荷与电容，总栅极电荷（QG）典型值为 8.5nC（VGS = 10V），输入电容低、开关速度快，非常适合高频应用。其小巧的 TDFN 封装尺寸仅为 2mm×2mm，为高密度 PCB 布局提供了理想选择，并且产品符合 RoHS 标准，无卤素，满足环保要求。
在主要参数方面，SGMNQ12340 的漏源电压（VDS）为 40V，在 +25°C 环境温度下的连续漏极电流（ID）可达 9A，栅源阈值电压（VGS_TH）范围在 1.2V 至 2.2V 之间，总功耗（PD）在 +25°C 环境温度下为 2W，其广泛的工作温度范围覆盖 -55°C 至 +150°C，确保了其在各种严苛环境下的可靠性。
图 1 SGMNQ12340 等效电路
